最先端半導体故障解析のためのSEM誘導低kV FIB仕上げ

SEM-Guided Low-kV FIB Finishing for Leading-Edge Semiconductor Failure Analysis

日本語要約

本論文は、高精度な半導体故障解析のためのSEM誘導低kV FIB仕上げ技術を発表します。この手法は、最先端半導体デバイスの欠陥特定における解像度と精度を向上させます。これにより、チップ製造における信頼性の向上と迅速なトラブルシューティングにつながる可能性があります。

English Summary

This paper presents a SEM-guided low-kV FIB finishing technique for high-precision semiconductor failure analysis. The method enhances resolution and accuracy in identifying defects in leading-edge semiconductor devices. This could lead to improved reliability and faster troubleshooting in chip manufacturing.